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南昌高新微電子科技園項目

南昌高新投資集團有限公司 　2018-05-29　

項目概況：項目位于南昌高新區天祥大道以南、學苑六路以西。項目總建筑面積約7.5萬平方米，占地面積76畝，總投資約10億元。其中項目一期建設面積約4.28萬平方米，占地面積58畝，投資建設標準廠房及配套設施等。

項目定位：將在南昌高新區建設具有完整知識產權（IP）的FBAR射頻濾波芯片生產項目，致力于將南昌高新區打造成為中國的微機電系（MEMS）研發及產業制造中心。

開竣工時間：2017年4月-2018年12月

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